ექსიტონი შემონაფენიან გალიუმის და თუთიის ოქსიდების ნანომავთულში

ნაშრომში შესწავლილია ექსიტონი გალიუმის და თუთიის ოქსიდების შემონაფენიან ნანომავთულებში. თავდაპირველად შევისწავლეთ ერთნაწილაკოვანი (ელექტრონული და ხვრელური) მდგომარეობები ნანომავთულში უსუსრულო კედლებიანი შეზღუდვით, ხოლო შემდეგ ამ პრობლემის გართულებული ვარიანტი - ნაწილაკები შემონაფენიან ნანომავთულებში. ელექტრონ-ხვრელის წყვილის უერთიერთქმედება გავითვალისწინეთ ერთგანზომილებიანი ჩამოჭრილი ეფექტური პოტენციალის მეშვეობით. აღნიშნული პოტენციალი მიღებულია ერთნაწილაკოვანი მდგომარეობებით გასაშუალოების გზით. ნანომავთულის რადიუსი ვცვალეთ 1-3.5 ნმ-მდე, ხოლო შემონაფენის სისქე იყო მუდმივი b=2ნმ. მიღებული შედეგები აჩვენებს, რომ ორივე ოქსიდში ნანომავთულის რადიუსის გაზრდასთან ერთად მვეთრად მცირდება ექსიტონის ბმის ენერგია. თუმცა, გალიუმის ოქსიდში ადგილი აქვს შედარებით მკვეთრ ცვლილებას ვიდრე თუთიის ოქსიდში. უნდა აღინიშნოს, რომ ეფექტური პოტენციალის შემოღების მოცემული მეთოდი კარგად მუშაობს მცირე რადიუსის ნანომავთულების შემთხვევაში.